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中国半导体功率器件设计领军者——新洁能今日登陆A股

09-30 体育资讯

9月28日,中国半导体功率器件设计领军者——无锡新洁能股份有限公司(股票简称“新洁能”、股票代码“605111”)在上交所主板正式挂牌上市,本次A股发走价为19.91元/股,发走数目为2530万股,保荐机构(主承销商)为坦然证券股份有限公司。

不息4年荣膺“中国半导体功率器件十强企业”

新洁能成立于2013年1月,专科从事MOSFET(金属—氧化物半导体场效答晶体管)、IGBT(绝缘栅双极型晶体管)等半导体芯片和功率器件的研发设计及出售。公司是专科化垂直分工厂商,芯片主要由公司设计方案后交由芯片代工企业进走生产,功率器件主要由公司委托外部封装测试企业对芯片进走封装测试而成。公司已初步完善片面先辈封装测试生产线的建设,将片面芯片自立封装制品后对外出售。公司产品系列周备,普及行使于消耗电子、汽车电子、工业电子以及新能源汽车/充电桩、智能装备制造、物联网、光伏新能源等周围。自2016年以来,公司不息4年名列中国半导体走业协会发布的“中国半导体功率器件十强企业”,为国内领先的半导体功率器件设计企业之一。

公司是高新技术企业,且为中国半导体走业协会会员、中国电源学会理事单位。公司亦为江苏半导体走业协会 2017 年度先辈会员单位,已竖立了江苏省功率器件工程技术钻研中央、江苏省企业钻研生做事站、东南大学-无锡新洁能功率器件技术联吻合研发中央。公司已获得 2019 年度江苏省科学技术一等奖,并获得 2020 年度国家技术发明奖挑名。截至 2020 年 1 月 19 日,公司拥有 97 项专利,其中发明专利 35 项、实用新式 59 项,外面设计 3 项。此外,公司已议定 ISO9001 质量管理系统认证等众项权威认证。

率先掌握超结理论技术,三季报营收与净利双双大幅预添

新洁能基于全球半导体功率器件先辈理论技术开发领先产品,是国内率先掌握超结理论,并量产屏蔽栅功率 MOSFET 及超结功率 MOSFET 的企业之一,是国内最早同时拥有沟槽型功率 MOSFET、超结功率 MOSFET、屏蔽栅功率MOSFET 及 IGBT 四大产品平台的本土企业之一。

截至 2020 年 1 月 19 日,公司拥有 97 项专利,其中发明专利 35 项,发明专利数目和占比在国内半导体功率器件走业内位居前线;公司拥有的该等专利与 MOSFET、IGBT、功率模块以及先辈工艺技术亲昵有关,对公司中央技术形成了专利珍惜,对同走业竞争者和湮没竞争者均形成了较高的技术壁垒。

此外,公司参与在 IEEE等国际著名期刊中发外论文 13 篇,其中 SCI 收录论文 7 篇,不息升迁公司自己在先辈功率半导体周围的团体技术程度,缩短了与国际一流半导体功率器件企业的技术差距,拉大了与国内同走业竞争者的技术差距。

公司与科研院所在功率器件设计周围开展永远配吻合,针对重点项如今成立了技术攻关幼组。公司赓续推进高端MOSFET、IGBT的研发和产业化,在已推出先辈的超结功率MOSFET、屏蔽栅功率MOSFET和超薄晶圆IGBT数款产品基础上,进一步对上述产品升级换代。公司如今亦率先在国内研发基于12英寸晶圆片工艺平台的MOSFET产品,片面产品已处于幼批量风险试产环节。公司还进一步挑前组织半导体功率器件最先辈的技术周围,开展对SiC/GaN宽禁带半导体功率器件的钻研追求和产业化,紧跟最先辈的技术梯队,升迁公司中央产品竞争力和国内外市场地位。

通知期各期(2017年度~2019年度),新洁能别离实现生意业务收好50,375.98万元、71,579.03万元和77,253.69万元,净收好别离为5,189.11万元、14,141.89万元和9,820.95万元。

值得一挑的是,新洁能展望2020年1-9月生意业务收好区间为64,000.00万元至65,500.00万元,同比上涨18.05%至20.82%;展望2020年1-9月归属于母公司一切者的净收好区间为9,200.00万元至9,700.00万元,同比上涨44.82%至52.69%。

政策扶持、进口替代!吾国半导体分立器件业蕴含重大发展契机

如今,吾国已经成为全球最主要的半导体分立器件制造基地和全球最大的半导体分立器件市场。据中国半导体走业协会统计,2017年吾国半导体分立器件市场周围已达到2473.9亿元,2018年吾国半导体分立器件全年出售周围为2658.4亿元,较2017年添长7.50%。从技术发展程度来望,如今国内半导体分立器件走业的团体技术程度仍与国际领先程度存在肯定的差距。但随着国家鼓励政策的大力扶持、半导体分立器件国产化趋势吐露,以及下游行使周围需要添长的拉升,吾国半导体分立器件走业蕴含重视大的发展契机。

据中国半导体走业协会统计,2017年中国半导体分立器件进口金额为281.8亿美元,相较于2014年进口额消极了10.20%。异日,随着国内企业逐渐突破走业高端产品的技术瓶颈,吾国半导体分立器件对进口的倚赖将会进一步削弱,进口替代效答将隐微添强。

按照全球著名市场钻研机构IHS统计数据表现,2016年、2017年国内MOSFET市场份额别离为22.07亿美元、26.39亿美元。新洁能2016年、2017年别离占国内MOSFET市场份额比例别离为(年度平均汇率别离为6.6423、6.7518)2.88%、2.83%,且公司为除英飞凌(Infineon)、安森美(ON Semiconductor)、瑞萨电子(Renesas Electronics)等9家外资品牌外的国内排名前茅的MOSFET研发设计及出售本土企业。按照IHS、电子工程世界网Yole有关数据,2018年全球MOSFET市场份额展望将添长至76亿美元,比照Yole关于国内功率器件占全球份额约39%测算,国内2018年MOSFET市场份额展望将达到29.64亿美元,新洁能占国内MOSFET市场份额比例达3.65%。

市场钻研机构IC Insights指出在各类半导体功率器件组件中,异日添长最强劲的产品将是MOSFET与IGBT模块。

新洁能本次发走召募资金扣除发走费用后,将主要用于“超矮能耗高郑重性半导体功率器件研发升级及产业化项如今”“半导体功率器件封装测试生产线建设项如今”“碳化硅宽禁带半导体功率器件研发及产业化项如今”“研发中央建设项如今”及“增添起伏资金”。

对于公司的发展战略,新洁能董事长、总经理朱袁正在上市路演中外示:行为国内半导体功率器件领先企业,公司将凝神于中高端半导体功率器件和模块的研发设计及出售。在保持MOSFET产品技术和市场上风基础上,公司将不息引进各类管理、技术、营销人才,构建高效、当代化的经营管理系统,进一步拓展MOSFET产品、重点深化IGBT产品,成为国内自立创新、技术领先、品质高端的自立品牌的优质企业。同时,公司将进一步添大研发投入,赓续整吻合半导体功率器件封装测试环节垂直产业链,掌控先辈半导体功率器件封装产线并组织SiC/GaN(碳化硅/氮化镓)宽禁带半导体功率器件,进一步深化企业中央竞争力,添快发展成为国际一流的半导体功率器件企业。

关键字

半导体功率

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